等離子體光譜儀具有許多大型光譜儀所不具備的優(yōu)點(diǎn)，如重量輕、體積小、探測(cè)速度快、使用方便、可集成化、可批量制造以及成本低廉等，這使得該儀器在各領(lǐng)域具有很廣闊的應(yīng)用前景。
 

　　精度始終是決定等離子體光譜儀測(cè)量的關(guān)鍵，分析的是被測(cè)樣品在各光波波長(zhǎng)下吸收或反射的光強(qiáng)大小。而在實(shí)際光譜儀設(shè)計(jì)制造中會(huì)存在一定的誤差，這就很難用簡(jiǎn)單的光柵公式直接預(yù)測(cè)波長(zhǎng)的具體位置。
 

　　在等離子體光譜儀中，光波波長(zhǎng)是由CCD像素所反映的，因此在實(shí)際測(cè)量中由于環(huán)境和時(shí)間的影響會(huì)引起光波波長(zhǎng)與像素之間的變化，光譜儀中各CCD像素所對(duì)應(yīng)的實(shí)際光波波長(zhǎng)必須準(zhǔn)確確定，否則測(cè)量的準(zhǔn)確度就會(huì)降低。所以，為了得到準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果，光譜儀在使用前必須進(jìn)行嚴(yán)格的標(biāo)定，確定CCD像素和光波波長(zhǎng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
 

　　根據(jù)等離子體光譜儀誤差的性質(zhì)及產(chǎn)生原因，誤差可分為下面幾種：
 

　　一、系統(tǒng)誤差的來(lái)源
 

　　(1)標(biāo)樣和試樣中的含量和化學(xué)組成不*相同時(shí)，可能引起基體線(xiàn)和分析線(xiàn)的強(qiáng)度改變，從而引入誤差。
 

　　(2)標(biāo)樣和試樣的物理性能不*相同時(shí)，激發(fā)的特征譜線(xiàn)會(huì)有差別從而產(chǎn)生系統(tǒng)誤差。
 

　　(3)澆注狀態(tài)的鋼樣與經(jīng)過(guò)退火、淬火、回火、熱軋、鍛壓狀態(tài)的鋼樣金屬組織結(jié)構(gòu)不相同時(shí)，測(cè)出的數(shù)據(jù)會(huì)有所差別。
 

　　(4)未知元素譜線(xiàn)的重疊干擾。如熔煉過(guò)程中加入脫氧劑、除硫磷劑時(shí)，混入未知合金元素而引入系統(tǒng)誤差。
 

　　(5)要消除系統(tǒng)誤差，必須嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)樣品制備規(guī)定要求。為了檢查系統(tǒng)誤差，就需要采用化學(xué)分析方法分析多次校對(duì)結(jié)果。
 

　　二、偶然誤差的來(lái)源
 

　　與樣品成分不均勻有關(guān)的誤差。因?yàn)楣怆姽庾V分析所消耗的樣品很少，樣品中元素分布的不均勻性、組織結(jié)構(gòu)的不均勻性，導(dǎo)致不同部位的分析結(jié)果不同而產(chǎn)生偶然誤差。主要原因如下：
 

　　(1)熔煉過(guò)程中帶入夾雜物，產(chǎn)生的偏析等造成樣品元素分布不均。
 

　　(2)試樣的缺陷、氣孔、裂紋、砂眼等。
 

　　(3)磨樣紋路交叉、試樣研磨過(guò)熱、試樣磨面放置時(shí)間太長(zhǎng)和壓上指紋等因素。
 

　　(4)要減少偶然誤差，就要精心取樣，消除試樣的不均勻性及試樣的鑄造缺陷，也可以重復(fù)多次分析來(lái)降低分析誤差。
 

　　三、其他因素誤差
 

　　(1)氬氣不純。當(dāng)氬氣中含有氧和水蒸氣時(shí)，會(huì)使激發(fā)斑點(diǎn)變壞。如果氬氣管道與電極架有污染物排不出去，分析結(jié)果會(huì)變差。
 

　　(2)室內(nèi)溫度的升高會(huì)增加光電倍增管的暗電流，降低信噪比。濕度大容易導(dǎo)致高壓元件發(fā)生漏電、放電現(xiàn)象，使分析結(jié)果不穩(wěn)定。